本申請涉及電子曝光機(jī)，特別是涉及一種電子曝光機(jī)。
背景技術(shù)：
1、電子曝光機(jī)是一種應(yīng)用于半導(dǎo)體工藝的圖形化手段。電子曝光機(jī)激發(fā)的電子束能夠使樣品表面的光刻膠變性，使光刻膠有機(jī)物支鏈結(jié)構(gòu)發(fā)生交聯(lián)或分解，或者以其他機(jī)理為基礎(chǔ)，使設(shè)計(jì)圖案轉(zhuǎn)移到光刻膠上，從而使光刻膠成為臨時(shí)掩模版用于后續(xù)圖形化操作。
2、相關(guān)技術(shù)中的電子曝光機(jī)所曝光的圖案質(zhì)量較差。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、基于此，有必要針對相關(guān)技術(shù)中的電子曝光機(jī)所曝光的圖案質(zhì)量較差的問題，提供一種電子曝光機(jī)。
2、一種電子曝光機(jī)，用于對樣品進(jìn)行曝光，所述電子曝光機(jī)包括：
3、光源，用于發(fā)射激光；
4、電子源，包括與所述光源耦接的光纖，以及電子發(fā)射層，所述電子發(fā)射層至少包括電子激發(fā)層，所述電子激發(fā)層設(shè)置于所述光纖出射激光的出光路徑上，以使所述電子激發(fā)層能夠在激光的激發(fā)下出射電子束；所述電子激發(fā)層包括零維材料、一維材料和二維材料中的至少一種；以及
5、電子光學(xué)組件，設(shè)于所述電子源的電子束出射側(cè)，所述電子光學(xué)組件用于調(diào)節(jié)所述電子束的聚焦和偏轉(zhuǎn)方向，以使所述電子束入射到所述樣品上，而在所述樣品上形成預(yù)設(shè)曝光圖案。
6、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述電子曝光機(jī)還包括外殼；
7、所述外殼具有真空腔室，所述電子源的光纖的出光端和所述電子光學(xué)組件彼此間隔地設(shè)于所述真空腔室內(nèi)；
8、所述電子激發(fā)層設(shè)于光纖的出光端上，以位于所述光纖出射所述激光的出光路徑上。
9、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述外殼上設(shè)有與所述真空腔室連通的開口，所述電子源的光纖的入光端通過所述開口露出，并耦接于所述光源；
10、所述光纖的外周壁密封連接于所述開口的內(nèi)側(cè)壁。
11、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述電子源的光纖的入光端通過所述開口延伸至所述真空腔室外，以耦接于所述光源；或
12、所述電子源的光纖的入光端的端面與所述開口所在平面平齊設(shè)置。
13、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述電子源還包括光調(diào)制件，所述光調(diào)制件連接于所述光源和所述光纖之間，用于控制所述激光是否傳播至所述光纖。
14、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述電子光學(xué)組件包括聚焦磁透鏡和偏轉(zhuǎn)線圈，所述聚焦磁透鏡和偏轉(zhuǎn)線圈沿所述電子束的出射方向間隔布設(shè)于所述電子源的電子束出射側(cè)。
15、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述光調(diào)制件包括電光調(diào)制器或者光開關(guān)。
16、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述光纖包括用于傳輸激光的纖芯和包裹于所述纖芯的包裹層，所述光纖的出光端的端面與所述纖芯的延伸方向呈角度設(shè)置；
17、所述電子發(fā)射層設(shè)于所述光纖的出光端的端面上，且所述電子激發(fā)層覆蓋所述光纖的纖芯，所述纖芯出射的激光能夠直接照射在所述電子發(fā)射層上，以使所述電子激發(fā)層受到所述纖芯出射的激光激發(fā)并發(fā)射電子。
18、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述光纖包括用于傳輸激光的纖芯和包裹于所述纖芯的包裹層；
19、所述光纖的出光端沿所述光纖的徑向構(gòu)造有漏光缺口；
20、所述電子激發(fā)層設(shè)于所述漏光缺口的底壁面上，所述漏光缺口的底壁面構(gòu)造為平面，所述電子激發(fā)層在所述底壁面上的投影，覆蓋所述纖芯在所述底壁面上的投影；
21、所述電子激發(fā)層還延伸至所述光纖的出光端。
22、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述光纖被構(gòu)造為帶孔光纖，所述帶孔光纖具有導(dǎo)光孔；
23、所述電子激發(fā)層至少設(shè)于所述導(dǎo)光孔的側(cè)壁上，且沿所述導(dǎo)光孔的縱長延伸方向延伸至所述光纖的出光端。
24、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述光纖被構(gòu)造為帶孔光纖；
25、所述電子激發(fā)層設(shè)于所述帶孔光纖的出光端的端面，且覆蓋所述導(dǎo)光孔位于所述出光端的端面的一端；
26、所述帶孔光纖出射的激光能夠直接照射在所述電子發(fā)射層上，以使所述電子激發(fā)層受到所述帶孔光纖出射的激光激發(fā)并發(fā)射電子。
27、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述光纖的出光端設(shè)有尖端部，所述電子激發(fā)層覆蓋所述光纖的尖端部的表面；
28、所述光纖包括用于傳輸激光的纖芯，所述光纖出射的激光能夠直接照射在所述電子發(fā)射層上，以使所述電子激發(fā)層受到所述纖芯出射的激光激發(fā)并發(fā)射電子。
29、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述電子源還包括導(dǎo)電連接層，導(dǎo)電連接層設(shè)于所述光纖上，且電連接于所述電子激發(fā)層。
30、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述電子源還包括陽極，所述陽極具有第一電子通道，所述電子光學(xué)組件具有與所述第一電子通道連通的第二電子通道；
31、所述陽極和所述電子激發(fā)層之間具有預(yù)設(shè)電場，所述電子束在所述預(yù)設(shè)電場的驅(qū)動下能夠通過所述第一電子通道和所述第二電子通道，并入射到所述樣品上。
32、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述電子激發(fā)層的厚度小于或等于50nm。
33、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述電子激發(fā)層中所述一維材料的軸向與所述激光的出射方向夾角為0～90°。
34、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述電子激發(fā)層包括沿所述激光出射方向依次層疊設(shè)置的至少兩層二維材料；或
35、所述電子激發(fā)層包括在同一平面上彼此連接的至少兩個(gè)材料不同的二維材料。
36、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述電子激發(fā)層包括零維材料以及設(shè)置于所述一維材料的端部和/或側(cè)部的零維材料。
37、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述電子激發(fā)層包括零維材料和二維材料，所述零維材料設(shè)置在所述二維材料的表面。
38、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述電子激發(fā)層包括一維材料和二維材料，所述一維材料設(shè)置于所述二維材料的表面。
39、上述電子曝光機(jī)，通過激光激發(fā)低維材料形成電子束，電子束在電子光學(xué)組件的調(diào)節(jié)下移動至樣品上，實(shí)現(xiàn)對樣品的曝光，并通過光調(diào)制件對激光進(jìn)行調(diào)制，從而能夠?qū)﹄娮邮M(jìn)行調(diào)制?？梢岳斫獾氖牵旧暾埖碾娮釉床捎昧憔S材料、一維材料和二維材料中的至少一種低維材料作為發(fā)射電子的材料，由于電子激發(fā)層具有較強(qiáng)的光與材料相互作用和豐富的電子帶隙，使得激光更好地與電子激發(fā)層相互作用而激發(fā)電子激發(fā)層內(nèi)的電子，且從電子激發(fā)層內(nèi)隧穿發(fā)射的電子具備能量集中和能量彌散小、亮度高和穩(wěn)定性高的特點(diǎn)。且低維材料的設(shè)置無需考慮低維材料內(nèi)電子在低維材料前后斷面之間的轉(zhuǎn)移散射過程，即低維材料內(nèi)電子受激光激發(fā)并被發(fā)射到真空的過程是飛秒尺度的超快過程，擊打在樣品上形成的曝光圖案也更加精細(xì),減少模糊。且低維材料內(nèi)電子的激發(fā)受激光的影響，通過光調(diào)制件調(diào)節(jié)激光從而能夠靈敏的調(diào)制電子束的發(fā)射與否，從而能夠精準(zhǔn)控制電子束曝光圖形的掃描過程中的曝光劑量，精準(zhǔn)快速控制掃描位置間隙的電子束發(fā)射與否，從而提高光電子曝光機(jī)所曝光的圖案質(zhì)量。
1.一種電子曝光機(jī)，用于對樣品進(jìn)行曝光，其特征在于，所述電子曝光機(jī)包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子曝光機(jī)，其特征在于，所述電子曝光機(jī)還包括外殼；
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電子曝光機(jī)，其特征在于，所述外殼上設(shè)有與所述真空腔室連通的開口，所述電子源的光纖的入光端通過所述開口露出，并耦接于所述光源；
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電子曝光機(jī)，其特征在于，所述電子源的光纖的入光端通過所述開口延伸至所述真空腔室外，以耦接于所述光源；或
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子曝光機(jī)，其特征在于，所述電子源還包括光調(diào)制件，所述光調(diào)制件連接于所述光源和所述光纖之間，用于控制所述激光是否傳播至所述光纖。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電子曝光機(jī)，其特征在于，所述電子光學(xué)組件包括聚焦磁透鏡和偏轉(zhuǎn)線圈，所述聚焦磁透鏡和偏轉(zhuǎn)線圈沿所述電子束的出射方向間隔布設(shè)于所述電子源的電子束出射側(cè)。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電子曝光機(jī)，其特征在于，所述光調(diào)制件包括電光調(diào)制器或者光開關(guān)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的電子曝光機(jī)，其特征在于，所述光纖包括用于傳輸激光的纖芯和包裹于所述纖芯的包裹層，所述光纖的出光端的端面與所述纖芯的延伸方向呈角度設(shè)置；
9.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的電子曝光機(jī)，其特征在于，所述光纖包括用于傳輸激光的纖芯和包裹于所述纖芯的包裹層；
10.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的電子曝光機(jī)，其特征在于，所述光纖被構(gòu)造為帶孔光纖，所述帶孔光纖具有導(dǎo)光孔；
11.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的電子曝光機(jī)，其特征在于，所述光纖被構(gòu)造為帶孔光纖，所述帶孔光纖具有導(dǎo)光孔；
12.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的電子曝光機(jī)，其特征在于，所述光纖的出光端設(shè)有尖端部；
13.根據(jù)權(quán)利要求8-12任一項(xiàng)所述的電子曝光機(jī)，其特征在于，所述電子源還包括導(dǎo)電連接層，導(dǎo)電連接層設(shè)于所述光纖上，且電連接于所述電子激發(fā)層。
14.根據(jù)權(quán)利要求8-12任一項(xiàng)所述的電子曝光機(jī)，其特征在于，所述電子源還包括陽極，所述陽極具有第一電子通道，所述電子光學(xué)組件具有與所述第一電子通道連通的第二電子通道；
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子曝光機(jī)，其特征在于，所述電子激發(fā)層的厚度小于或等于50nm。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子曝光機(jī)，其特征在于，所述電子激發(fā)層中所述一維材料的軸向與所述激光的出射方向夾角為0～90°。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子曝光機(jī)，其特征在于，所述電子激發(fā)層包括沿所述激光出射方向依次層疊設(shè)置的至少兩層二維材料；或
18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子曝光機(jī)，其特征在于，所述電子激發(fā)層包括零維材料以及設(shè)置于所述一維材料的端部和/或側(cè)部的零維材料。
19.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子曝光機(jī)，其特征在于，所述電子激發(fā)層包括零維材料和二維材料，所述零維材料設(shè)置在所述二維材料的表面。
20.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子曝光機(jī)，其特征在于，所述電子激發(fā)層包括一維材料和二維材料，所述一維材料設(shè)置于所述二維材料的表面。